Innovators Under 35 Italy

Due ricercatori di STMicroelectronics sono stati inseriti fra gli Innovators Under 35 Italy selezionati dalla MIT Technology Review Italy. Si tratta della consociata italiana della rivista del Massachusetts Instiute of Technology (Boston), la MIT Technology Review, che promuove questo concorso dal 1999.  I giovani innovatori selezionati quest’anno per l’Italia sono stati undici. I loro profili e i loro progetti sono disponibili sulla rivista online.

Due di loro sono ricercatori di ST.

Mohammad Abbasi Gavarti, nato nel 1987 e laureato in ingegneria meccanica presso il Politecnico di Milano, progetta e ottimizza nuovi sensori di sforzo e deformazione meccatronici ad Agrate Brianza. Alla MIT Technology Review Italy ha presentato il progetto di un sensore di sforzo multiassiale,  per migliorare l’affidabilità dei sistemi di monitoraggio attualmente basati su sensori monoassiali.

Le strutture da monitorare sono gli edifici civili, i ponti, le gallerie, dove attualmente i sensori multiassiali vengono testati. Il progetto prevede di arrivare a mettere sul mercato un servizio e non un sistema di monitoraggio e a questo scopo si sta lavorando anche agli algoritmi per far scattare allarmi in base ai valori delle deformazioni raccolti. 

Il progetto, ma, soprattutto, l’innovatore Abbasi hanno ricevuto anche il riconoscimento di Leonardo, l’azienda globale ad alta tecnologia leader nei settori dell’Aerospazio, Difesa e Sicurezza, che ogni anno seleziona un giovane fra gli Innovators Under 35 Italy.

Si occupa invece di tecnologie di potenza a Catania Antonino Raciti. Nato nel 1984, laureato e assegnista di ricerca presso l’università di Padova, in ST dal 2015, Antonino ha presentato un inverter per frigoriferi che riduce in maniera significativa il consumo di energia grazie alla nuova tecnologia Super-Junction DM2 MOSFET di STMicroelectronics.

 

Tutto parte dall’aver rilevato che, a differenza di altri elettrodomestici, i frigoriferi e i condizionatori di ambienti lavorano per la maggior parte del tempo a bassissimo carico.

Sostituendo il Super-Junction DM2 MOSFET all’IGBT si riduce la dissipazione elettrica con un risparmio energetico fra il 2 e il 3% del totale. Un altro passo avanti per elettrodomestici sempre più sostenibili. Ma è una gara senza fine, e Antonino sta già pensando ai prossimi passi, come l’inserimento di un MOSFET di carburo di silicio (SiC).

 

Lascia un commento

Il tuo indirizzo email non sarà pubblicato. I campi obbligatori sono contrassegnati *